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研究用高純度シリコンウェハー 2×N型 1枚

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管理番号 新品 :94508991 発売日 2024/03/11 定価 8,180円 型番 94508991
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研究用高純度シリコンウェハー 2×N型 1枚

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供 サイズ(インチ)×伝導型:2×N型OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):17.5±2.5×280±25入数:1枚製造方法:CZ法面方位:100OF位置:110抵抗値:0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cmパーティクル:パーティクル不問※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供 サイズ(インチ)×伝導型:2×N型OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):17.5±2.5×280±25入数:1枚製造方法:CZ法面方位:100OF位置:110抵抗値:0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cmパーティクル:パーティクル不問※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。

研究用高純度シリコンウェハー 2×N型 1枚1

 

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